Q3

最近系統廠開始要求提供TLP測試資料，請問與ESD測試差異在哪裡?

A4 TLP與ESD在基本應用原理上是不同但卻有關聯的兩種設備。通常我們對於ESD測試比較熟悉，ESD測試是用來判別晶片的靜電放電等級，是否符合基本需求規格，是判定晶片整體的ESD等級的測試工具。在測試的同時也可以掃描I/V Curve，作為快速判別晶片好壞的參考。TLP並非模擬真實ESD環境，主要是作為ESD 保護電路設計和失效分析的工具。由於 TLP 測試中還帶有漏電流的分析，可以協助ESD保護電路設計人員利用 TLP 測試資料來分析該保護結構失效前的工作狀態。透過分析結果，從中找出失效的原因，協助研發改善設計品質。

(可靠性工程處 謝翰坤/HK)

常用的3D OM 與最近聽到的IR OM有什麼差異? 適用於什麼情況分析?

A53D-OM (3D Optical microscope)具有大景深、傾斜角度及長工作距離的檢測優勢，可針對各種不同聚焦高度的待測物體,如圖一，進行多角度的全面對焦，並獲得全面清晰的影像進行觀察。應用領域適合進行PCB板上零件/IC封裝打線/BGAsolder ball檢測與故障分析。

Fig. 1 可針對各種不同聚焦高度的待測物體，進行多角度的全面對焦，並獲得全面清晰的影像進行觀察

IR-OM(Infrared Microscope)的光源使用可以穿透矽材料的NIR(近紅外線),可穿透達650um的矽基板,參考圖2.因此可應用於背向EMMI/OBIRCH檢測, MEMS失效分析,矽基板器件失效分析(burnout marks,alignment in thinly bonded circuits, defects in materials ),圖3是IR OM在MEMS產品上的分析應用.

Fig. 2 可穿透Silicon的IR波長範圍在1-10um; IR-OM 的光源使用可以穿透矽材料的NIR(近紅外線, 700nm-1500nm),可穿透達650um的矽基板.

Fig. 3 IR-OM應用於MEMS的失效分析,可檢視未破壞前MEMS的內部結構及缺陷

(工程總處-失效分析Team)